Si、Ge、SOI、GOI、SiC和化合物半导体等衬底材料（Substrate materials such as Si, Ge, SOI, GOI, SiC and compound semiconductors）

用于集成电路和光电器件制造的高-k/金属栅叠层、Low-k材料、GeSi外延层、GeSn外延层、PCRAM存储材料、RRAM介质材料、STT-MRAM用磁性薄膜等新型薄膜材料（High -k, Low-k, GeSi,, GeSn, PCRAM, RRAM, STT-MRAM, and other materials used in Integrated circuits and optoelectronic devices）

光刻胶、DSA、各类CVD和ALD前驱体、CMP抛光材料、 工艺化学品、靶材等集成电路制造工艺材料（Photoresist, DSA, CVD and ALD precursor, CMP materials, process chemicals and targets for of integrated circuit fabrication material）

新型显示材料（New display material）

先进封装材料（Advanced packaging material）

新型二维材料（Novel two dimensional material）

碳纳米管，石墨烯等碳基功能材料（Carbon nanotubes, graphene and other carbon based functional materials）

材料检测技术与方法（Materials testing technology and method）

材料设计理论与计算模拟（Materials design theory and simulation）

集成电路材料产业技术创新联盟（The Integrated Circuit Materials Industry Technology Innovative Alliance ）

中国科学院上海微系统与信息技术研究所（Shanghai Institute of MicroSystem and Information technology, Chinese Academy of Sciences）

北京超弦存储器研究院（Beijing Superstring Academy of Memory Technology）

由大会统一出版，详细信息请点击【论文提交】。

宋三年        中国科学院上海微系统与信息技术研究所